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本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）概述
三星规划将其位于平泽和华城的部分NAND闪存坐蓐线转为DRAM制造。
三星正准备对其存储芯片坐蓐政策进行首要革新。由于众人 AI 基础表率的连忙发展，DRAM 的需求捏续激增。韩国业界音书东谈主士裸露，三星规划将其位于平泽和华城的部分 NAND 闪存坐蓐线转为 DRAM 制造；行将投产的平泽 Fab 4 工场也将行为专用 DRAM 坐蓐线，经受三星最新的 1c 制程工艺。
1c DRAM是三星电子规划在本年下半年量产的产物，且规划将搭载在HBM4上，鄙人一代存储器业务中具有特别垂危的真理。
音书称，三星对 NAND 市集也曾变得愈加严慎，而表率 DRAM 芯片的市集需求则出现了大幅跃升。现时，DRAM 价钱正在连忙高涨，一些就业器客户风光为 96GB 和 128GB DDR5 内存模块支付高达 70% 的溢价，但依然难以保证供应。大型科技公司展望内存枯竭将捏续数年，并已开动为 2027 年的 DRAM 配额张开协商。
当今，三星在平泽 Fab 1、Fab 3 及华城园区均坐蓐 DRAM 和 NAND。改日，Fab 1 和华城的夹杂坐蓐线将进一步向 DRAM 转型，关联 NAND 坐蓐拓荒将被捣毁。Fab 4 工场正在收尾栽种，来岁将行为专用 1c DRAM 线投产，并有可能将 Fab 4 内另一原规划用于代工坐蓐的区域，也转为 DRAM 产物线。一朝革新完成，来岁上半年，三星来自华城 Fab 1 和平泽 Fab 4 的 DRAM 产量将显赫普及。与此同期，韩国地区 NAND 产能的减少展望将通过三星位于中国西安的工场来补足。
最先，三星为了提高芯片的产量和资本效果，削弱了芯片尺寸，但这一作念法导致了坐蓐默契性下落，良率未能达到预期。为此，三星在2024年底决定对1c DRAM的设想进行部分修改，主如果在保捏中枢电路最小线宽的同期，放宽左右电路的线宽表率，以期快速普及良率。此外，三星还革新了芯片尺寸，从更小的尺寸转向更大的尺寸，以提高良率并确保HBM4内存的默契量产。
此外，三星电子在与英伟达的互助上也获得了首要施展，敲定了HBM4供应契约，规划从本年第四季度开动请托首批产物。跟着HBM4需求的激增，三星正在全力参预1c DRAM的产能栽种，以抖擞市集的需求。尤其是在就业器、PC及移动拓荒等界限，DRAM的需求正在快速上升，其中就业器DRAM因AI数据中心投资的膨大而需求暴增。数据中心运营商正在竞相参预基础表率，以支捏AI就业，这平直鼓舞了就业器DRAM价钱的急剧攀升。
尽管PC和移动市集的增长速率有所放缓，但跟着端侧AI的兴起，这些界限也开动悄然复苏。要在终局拓荒上有用运行AI盘算推算，必须依赖大容量内存，这意味着DRAM的需求将大幅加多。因此，PC和移动拓荒市集有望成为撑捏DRAM需求的垂危维持，展望将激发供应枯竭。高性能内存的强劲需求，恰是三星扩大1c DRAM坐蓐占比的根底动因。
1c DRAM行为三星私有的互异化火器，进一步加快了这一程度。在竞争敌手依然使用1b DRAM时，三星已决定经受1c DRAM制造HBM，以期通过进步一代的产物扫尾市集逆转。三星正在通过大范围推广产能，力求以1c DRAM重塑市集神志。行业东谈主士指出，三星电子凭借其远超竞争敌手的坐蓐智商，极有可能在1c DRAM界限重现市集主导地位。
据悉，三星已加快押注DRAM 界限，从 ASML购入 5 台全新 High-NA EUV 光刻机，其中 2 台将部署在三星半导体代工奇迹部，其余拓荒则专供存储奇迹部。一位半导体业界东谈主士暗意：“以前三星的代工和存储业务在韩国平泽园区共用 EUV 工艺，但跟着最新变化，新增的五台光刻机将专供存储业务”。值得稳固的是，本年3月，三星在其韩国华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”，成为继英特尔和台积电（TSMC）之后，第三家购入High-NA EUV光刻机的半导体制造商。三星已决定在改日的DRAM坐蓐中经受High-NA EUV时候，竞争敌手SK海力士也有通常的念念法。
不外，据The Bell报谈，三星和SK海力士也曾决定推迟在DRAM坐蓐中引入High-NA EUV时候的时刻。原因是器用拓荒的资本过高，另外DRAM架构行将发生变化，从而让存储器制造商在High-NA EUV时候上选拔更为严慎的作风。
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